Technologia
Ile razy można nadpisać pamięć flash
Kluczowy fakt (TL;DR)
Typowa komórka pamięci flash TLC (trójpoziomowa) pozwala na około 3 000 cykli nadpisania, podczas gdy komórki SLC (jednopoziomowe) wytrzymują do 100 000 cykli.
Analiza faktograficzna
Nadpisywanie danych w pamięci flash wymaga uprzedniego skasowania całej sekcji (bloku). Każda taka operacja osłabia warstwę tlenku krzemu, co po przekroczeniu limitu uniemożliwia poprawne utrzymywanie ładunku elektrycznego reprezentującego bit.
Od czego zależy wynik?
Trwałość zależy od procesu litograficznego (skali nano), jakości produkcji oraz napięcia sterującego.
Metodologia i źródła
Badania fizyki półprzewodników i standardy branżowe organizacji JEDEC.
Zobacz również inne fakty
"Ile razy" to portal faktograficzny.
Nasze dane opieramy wyłącznie na mierzalnych parametrach technicznych, właściwościach fizycznych materiałów i statystyce historycznej.
Informacja